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SK海力士与东芝诉讼和解合攻下一代半导体制程技术


本文摘要:东芝(Toshiba)与SK海力士(SKHynix)宣告将共同开发下一代半导体制程技术,同时东芝也撤消对SK海力士明确提出的1.1兆韩元(大约9.1亿美元)损害赔偿诉讼。

东芝(Toshiba)与SK海力士(SKHynix)宣告将共同开发下一代半导体制程技术,同时东芝也撤消对SK海力士明确提出的1.1兆韩元(大约9.1亿美元)损害赔偿诉讼。两企业要求集中于火力谋求半导体产业未来主导权,代替互相损耗的专利诉讼。

  据ETNews报导,东芝与SK海力士曾保持很长时间的合作关系。2007年签订专利许可合约,并自2011年开始共同开发下一代存储器STT-MRAM。2014年3月因存储器半导体技术外流,东芝向SK海力士明确提出告诉他,拒绝1.1兆韩元规模的民事赔偿金,双方关系因此裂痕。

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  最后SK海力士以缴纳2.8亿美元,非常诉讼规模27%的妥协金与东芝达成协议,撤消诉松。SK海力士半导体部门的专利互相许可合约,与产品供应契约也取得缩短。

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通过这次的全方位合作宣言,双方总算重修旧好。  SK海力士有关人士回应,与东芝展开全方位的合作,不但提高技术竞争力也取得平稳的订单,同时中止潜在经营不确定性。  SK海力士最近存储器业绩亮眼,对未来新技术的主导权也变得更加有兴趣。

目前与东芝共同开发的次世代纳米压印(NanoimprintLithography;NIL)技术,是在国际半导体科技蓝图(ITRS)中,被喻为能构建32纳米以下识制程的新方法。  半导体制程日益微细化,而NIL正是构建识图案所适当的次世代制程技术。

NIL制程与印章的原理类似于,将液态紫外线(UV)感光性树脂填充物在基板之后,以半透明模具冷却构成图案,再行用光源太阳光将图案相同。  因为没用于镜片而使用低廉的UV光源,价格竞争力不亚于近于紫外光(EUV)曝光设备。与目前须要花费钜额投资的制程技术比起,有望构建更加经济的量产方式。而SK海力士与东芝若能顺利研发NIL技术,商用化后也有望更进一步增强存储器产品的成本竞争力。


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